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飞思卡尔为WiMAX基站扩展了射频功率晶体管系列

作者:本站编辑 来源:本站

无线基础设施行业中的第一个LDMOS晶体管,可满足在3.8 GHz频段运行的WiMAX的严格要求

最近,凭借第七代高压(HV7)RF LDMOS技术,飞思卡尔半导体(纽约证券交易所代码:FSL,FSL.B)成功实现了在3.5 GHz频段工作的WiMAX基站所需的RF功率放大器的性能。飞思卡尔的成功标志着制造商首次在RF横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术方面取得了重大突破。

飞思卡尔提供了一系列12VGaAs假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)产品,并计划继续开发高压GaAsPHEMT技术,以引入更高功率的GaAs器件,用于WiMAX系统,以及2GHz和6GHz。乐队之间的其他应用。

通过使用RF LDMOS和GaAsPHEMT技术提供功率晶体管,飞思卡尔的RF解决方案可以真正支持任何高功率无线基础设施应用,LDMOS性能高达3.8GHz,GaAsPHEMT性能高达6GHz。

飞思卡尔为WiMAX基站扩展了射频功率晶体管系列

" HV7 RF LDMOS技术的最新进展使飞思卡尔成为未来WiMAX和其他高频市场服务的非常有利的位置,飞思卡尔副总裁兼射频部门总经理",Gavin P. Woods,"我们的高压GaAs技术开发将继续为当今市场上的所有竞争产品提供高效的解决方案,并将基础设施产品扩展到6 GHz产品。"

WiMAX:要求最高的

WiMAX系统使用64整数幅度调制(QAM)正交频分复用(OFDM)信号。 QAMOFDM信号处理为功率放大器的设计者带来了独特的挑战。 RF功率晶体管在回退中的线性度至关??重要,不仅是具有屏蔽要求的频谱形式,而且还是具有EVM(误差矢量幅度)要求的积分形式。在此消息发布之前,硅LDMOS技术在3.5 GHz频段内无法提供令人满意的RF功率性能。这意味着合成半导体器件如GaAsPHEMT是设计人员的唯一选择。如今,飞思卡尔先进的3.5GHz HV7LDMOS器件可提供WiMAX系统所需的高性能、线性和EVM性能,使设计人员有机会在合成半导体和硅LDMOS之间进行选择。HV7 RF LDMOS供应信息

首批3.5GHz LDMOS器件的样品现已上市。 MRF7S38075H是一款75瓦P1dB射频晶体管,平均功率为42dBm(16W),可满足3.5GHz频段运行的WiMAX器件的性能要求。此外,预计2006年2月将推出40W和10W P1dB3.5GHz器件。这三款先进的LDMOS器件扩展了飞思卡尔现有的RF功率晶体管系列产品系列,适用于工作在2.3、2.5和3.5GHz的新兴WiMAX / WiBRO器件带。

高压GaAs供应信息

先进的HV7LDMOS器件补充了12V GaAs PHEMT器件的功能,以适应3.5GHz WiMAX应用,目前正在开发的新型高压GaAs器件将在6 GHz频段工作。这使它们成为WiMAX和在此频率范围内运行的其他无线应用的理想选择。当工作电压达到20V或更高时,GaAs器件可以实现高达100W的输出功率,同时满足数字调制系统的严格要求。

飞思卡尔首款高压GaAsPHEMT样品预计将于2006年第三季度上市。

有关飞思卡尔最新的WiMAX射频功率器件的更多信息,请访问我们的网站:www.freescale.com/rf

关于飞思卡尔半导体

飞思卡尔半导体(纽约证券交易所代码:FSL,FSL.B)是全球领先的半导体公司,为大规模的、汽车、消费者、工业、网络和无线市场提供嵌入式半导体产品。该公司的前身是摩托罗拉的半导体部门,已有50多年的历史。它于2004年7月从摩托罗拉剥离出来,成为一家独立的上市公司。该公司总部位于德克萨斯州奥斯汀,在全球30多个国家设有、制造业、销售和研发设施。飞思卡尔半导体是标准普尔500指数成员之一,是全球最大的半导体公司之一,2004年的总销售额为57亿美元。

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